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专利状态
一种量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-01-25
申请公布
2020-08-04
授权
2023-02-07
预估到期
2039-01-25
专利基础信息
申请号
CN201910074572.7
申请日
2019-01-25
申请公布号
CN111490169A
申请公布日
2020-08-04
授权公布号
CN111490169B
授权公告日
2023-02-07
分类号
H10K50/115;H10K50/16;H10K71/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2023-02-07
授权
状态信息
授权
2020-08-04
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提出一种量子点发光二极管及其制备方法,包括包括阴极、阳极和设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层,还包括设置在所述阴极和量子点发光层之间的第一层,所述第一层的材料包括所述量子点表面结合有[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸酯。通过[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸酯修饰在碳量子点表面,不仅提高碳量子点的电子迁移率,还可以有效地阻挡多余的空穴进入碳量子点层,使得碳量子点层不发生荧光现象,作为电子传输层应用到QLED器件,能提高QLED器件的电子传输速率。
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