一种晶体管及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

一种晶体管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-17

申请公布

2022-01-18

授权

2022-09-27

预估到期

2040-07-17

专利基础信息

申请号	CN202010691225.1	申请日	2020-07-17
申请公布号	CN113948656A	申请公布日	2022-01-18
授权公布号	CN113948656B	授权公告日	2022-09-27
分类号	H01L51/52;H01L51/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-09-27

授权

状态信息

授权
2022-01-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种晶体管及其制备方法。所述晶体管，包括依次层叠设置的第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层、第三电极、覆盖层；所述第一电极和第二电极中的至少一种为全反射电极，所述第三电极为半反射电极。本发明发光晶体管设置有至少两个具有较高反射率的电极，在电极之间构成光学共振微腔，通过调节膜层的厚度，从而提高发光晶体管的出光强度和出光的单色性。底栅极可以调节发光晶体管的电荷注入势垒和载流子密度，从而提高了发光晶体管的电子空穴注入平衡和降低了器件驱动电压，得到了色彩更加纯净、效率更高、寿命更长的器件。

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