一种量子点发光二极管及其制备方法

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专利状态

一种量子点发光二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-07-25

申请公布

2021-02-02

授权

2022-08-05

预估到期

2039-07-25

专利基础信息

申请号	CN201910678973.3	申请日	2019-07-25
申请公布号	CN112310290A	申请公布日	2021-02-02
授权公布号	CN112310290B	授权公告日	2022-08-05
分类号	H01L51/50;H01L51/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-08-05

授权

状态信息

授权
2021-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的二巯基化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置。本发明提供的量子点发光二极管包括设置在量子点发光层和电子传输层之间的二巯基化合物，所述二巯基化合物可实现将量子点发光层和电子传输层交联在一起从而形成交联界面，所述交联后的界面能够给电荷传输提供传输通道，从而有效降低量子点发光层和电子传输层之间的界面电阻，进而提升量子点发光二极管的器件效率及其使用寿命。

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