发光二极管器件的测试方法及装置

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专利状态

发光二极管器件的测试方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2020-06-17

申请公布

2022-01-04

授权

2023-06-20

预估到期

2040-06-17

专利基础信息

申请号	CN202010554619.2	申请日	2020-06-17
申请公布号	CN113884849A	申请公布日	2022-01-04
授权公布号	CN113884849B	授权公告日	2023-06-20
分类号	G01R31/26
分类	测量；测试;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2023-06-20

授权

状态信息

授权
2022-01-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01R31/26；申请日:20200617
2022-01-04

公布

状态信息

公布

摘要

本申请适用于半导体光电技术领域，提供了一种发光二极管器件的测试方法及装置，该方法包括：向发光二极管器件输入测试电压，获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。本申请能够提高对发光二极管器件进行测试的准确性。

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