一种量子点发光二极管及其制备方法

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专利状态

一种量子点发光二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-12-31

申请公布

2021-07-16

授权

2022-12-13

预估到期

2039-12-31

专利基础信息

申请号	CN201911425210.4	申请日	2019-12-31
申请公布号	CN113130794A	申请公布日	2021-07-16
授权公布号	CN113130794B	授权公告日	2022-12-13
分类号	H01L51/50;H01L51/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-12-13

授权

状态信息

授权
2021-07-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的叠层，所述叠层包括第一量子点发光层、间隔层和第二量子点发光层，所述间隔层设置于所述第一量子点发光层及所述第二量子点发光层之间，所述间隔层包括多个ZnS量子点。本发明采用将原本一层厚的量子点发光层设置为相对较薄的两层量子点发光层，在两层量子点发光层之间加入一层间隔层，利用ZnS的高带隙，穿插进两层相对较薄的量子点发光层之间作为阻挡，避免了荧光共振能量转移问题，确保了最终的器件亮度、量子效率以及寿命。同时，所述间隔层还可以作为电荷注入层，将一定的电荷转移进QD，使得效率进一步得到提升。

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