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专利状态
纳米材料及其制备方法、半导体器件
有效
专利申请进度
申请
2019-12-28
申请公布
2021-06-29
授权
2022-07-05
预估到期
2039-12-28
专利基础信息
申请号 CN201911384737.7 申请日 2019-12-28
申请公布号 CN113054121A 申请公布日 2021-06-29
授权公布号 CN113054121B 授权公告日 2022-07-05
分类号 H01L51/50;H01L51/54;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2022-07-05
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-06-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供了一种纳米材料,所述纳米材料包括ZnO纳米晶,以及结合在所述ZnO纳米晶上的表面配体,所述表面配体的结构如下式1所示,式1中,R1、R2、R3各自独立地选自烷基、烷氧基、羟基烷氧基、羟基、氢原子中的至少一种;R4选自碳原子数为5‑60的烃基,且所述烷基、烷氧基、所述羟基烷氧基中的碳原子数为1‑5。本发明提供的纳米材料,ZnO纳米晶的表面配体既能钝化ZnO纳米晶表面的悬挂键和氧空位等导致的缺陷态,又可以调控ZnO纳米晶的电子迁移率,并提高溶液稳定性。