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专利状态
复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2020-06-15
申请公布
2021-12-17
授权
2024-01-02
预估到期
2040-06-15
专利基础信息
申请号 CN202010546265.7 申请日 2020-06-15
申请公布号 CN113809248A 申请公布日 2021-12-17
授权公布号 CN113809248B 授权公告日 2024-01-02
分类号 H10K50/155;H10K50/115;H10K85/10;H10K85/60;H10K85/30
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2024-01-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-01-04
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L51/50;申请日:20200615
  • 2021-12-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明属于发光器件材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括有机半导体材料、有机分子和金属离子,所述有机分子具有如下式I所示的结构,所述有机分子上的羧基与所述金属离子配位,并通过所述金属离子连接至所述有机半导体材料;式I中R1为‑(CH2)n‑,n为大于或等于1的整数。该复合材料缩短了有机半导体材料的分子间距,增强了分子间的共轭共振效应,使得空穴在有机半导体材料的分子间传导能力提升,从而提高了空穴迁移率,同时该复合材料通过该有机分子掺杂可以有效改善其结晶性,从而降低该复合材料的电阻,进一步增强了复合材料的空穴传输能力。