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专利状态
量子点薄膜,量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-25
申请公布
2021-06-25
授权
2023-04-07
预估到期
2039-12-25
专利基础信息
申请号 CN201911353286.0 申请日 2019-12-25
申请公布号 CN113025308A 申请公布日 2021-06-25
授权公布号 CN113025308B 授权公告日 2023-04-07
分类号 C09K11/02;C09K11/88;H10K50/115;H10K30/35
分类 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2023-04-07
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-06-25
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明属于发光二极管技术领域,尤其涉及一种量子点薄膜,所述量子点薄膜的一表面接枝有第一卤化铵配体,所述量子点薄膜中与接枝有第一卤化铵配体的表面背对的另一表面接枝有第二卤化铵配体。本发明提供的量子点薄膜,可通过两侧表面接枝的不同类型的卤化铵配体,改善空穴和电子向量子点发光层的注入效率,使空穴和电子向量子点发光层注入平衡,提高空穴和电子在量子点发光层中的复合效率。在不影响量子点的光学性能的前提下,不但显著提高量子点的稳定性和分散性,同时提高载流子在量子点发光层中的复合几率。