一种量子点发光二极管及其制备方法

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专利状态

一种量子点发光二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-09-16

申请公布

2022-04-01

授权

2023-10-10

预估到期

2040-09-16

专利基础信息

申请号	CN202010973442.X	申请日	2020-09-16
申请公布号	CN114267800A	申请公布日	2022-04-01
授权公布号	CN114267800B	授权公告日	2023-10-10
分类号	H10K50/115;H10K50/17;H10K50/15;H10K50/16;H10K71/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2023-10-10

授权

状态信息

授权
2022-04-19

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L51/50；申请日:20200916
2022-04-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设在阳极与阴极之间的量子点发光层，设在阳极与量子点发光层之间的空穴功能层；空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层靠近阳极，空穴传输层靠近量子点发光层，空穴注入层材料为MoO3，空穴传输层材料为钯氧化物和铂氧化物中的一种或多种；或者，空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层以及缓冲层，空穴注入层靠近阳极，缓冲层靠近量子点发光层，空穴传输层设在空穴注入层和缓冲层之间，空穴注入层材料为MoO3，空穴传输层材料为镍氧化物，缓冲层材料为Al2O3和/或Ga2O3。用金属氧化物替换有机物设置空穴功能层，有利于QLED稳定。

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