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专利状态
一种量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2021-07-16
授权
2022-09-27
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号 CN201911409552.7 申请日 2019-12-31
申请公布号 CN113130811A 申请公布日 2021-07-16
授权公布号 CN113130811B 授权公告日 2022-09-27
分类号 H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2022-09-27
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括:提供阳极;在所述阳极上形成量子点发光层;在所述量子点发光层上形成金属电极层;对所述金属电极层进行氧化处理,形成金属氧化物层;在所述金属氧化物层上形成阴极,得到量子点发光二极管。本发明中,通过在现有量子点发光二极管基础上,增设一层金属电极,通过烘烤处理,所述金属电极层被氧化,可以形成金属氧化物层,所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用,从而提高器件的寿命。另外,所述金属氧化物层可以作为阴极与电子传输层之间的过渡层,电子可隧穿注入到电子传输层,有利于阴极中的电子注入到电子传输层,从而提高电子注入效率,进而提高器件的发光效率。