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专利状态
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-28
申请公布
2021-06-29
授权
2022-10-11
预估到期
2039-12-28
专利基础信息
申请号 CN201911383693.6 申请日 2019-12-28
申请公布号 CN113054118A 申请公布日 2021-06-29
授权公布号 CN113054118B 授权公告日 2022-10-11
分类号 H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2022-10-11
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-06-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒以及掺杂在所述二氧化铈纳米颗粒中的钼元素。掺杂Mo元素增加了净电子,使CeO2的载流子浓度增加,降低电阻率,从而提高了电子传输能力,将该复合材料用于量子点发光二极管,可以有效提高器件的发光效率。