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专利状态
一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2019-08-19
申请公布
2021-02-23
授权
2022-08-02
预估到期
2039-08-19
专利基础信息
申请号 CN201910763093.6 申请日 2019-08-19
申请公布号 CN112397658A 申请公布日 2021-02-23
授权公布号 CN112397658B 授权公告日 2022-08-02
分类号 H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2022-08-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-02-23
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种复合材料及其制备方法与量子点发光二极管,其中,所述复合材料的制备方法包括步骤:将金属化合物与苄基吡啶混合在有机溶剂中,使苄基吡啶结合在所述金属化合物表面,制得所述复合材料。本发明制备的复合材料具有高导电性,所述复合材料在作为电子传输层材料时,能够有效提高其电子传输效率,促进电子‑空穴有效地复合,降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响,从而提高量子点发光二极管的发光效率。