一种复合物及其制备方法与量子点发光二极管

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专利状态

一种复合物及其制备方法与量子点发光二极管

有效

专利申请进度

申请

2019-09-20

申请公布

2021-03-23

授权

2023-03-21

预估到期

2039-09-20

专利基础信息

申请号	CN201910893806.0	申请日	2019-09-20
申请公布号	CN112542553A	申请公布日	2021-03-23
授权公布号	CN112542553B	授权公告日	2023-03-21
分类号	H10K50/16;H10K85/60
分类
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2023-03-21

授权

状态信息

授权
2021-03-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种复合物及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层、电子传输层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，所述电子传输层设置在所述量子点发光层与所述阴极之间，其中，所述电子传输层包括有机分子和金属氧化物纳米颗粒，所述有机分子为类花青素有机分子或呋喃系化合物有机分子。本发明利用类花青素有机分子或呋喃系化合物有机分子与金属氧化物纳米颗粒形成固态膜后，能够有效改进金属氧化物纳米颗粒固态膜的电荷传输性能，从而增强量子点发光二极管的器件效率和寿命。

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