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专利状态
一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2021-07-16
授权
2023-04-07
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号 CN201911417449.7 申请日 2019-12-31
申请公布号 CN113122231A 申请公布日 2021-07-16
授权公布号 CN113122231B 授权公告日 2023-04-07
分类号 C09K11/02;C09K11/88;H10K50/115;CN108546553A,2018.09.18;CN109020851A,2018.12.18;CN108264894A,2018.07.10;CN106367060A,2017.02.01SukyungChoietal..Partiallypyridine-functionalizedquantumdotsforefficientred,green,andbluelight-emittingdiodes.《JournalofMaterials
分类 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2023-04-07
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管,所述量子点包括:CdXZn1‑XSe量子点核,沿所述CdXZn1‑XSe量子点核径向方向上从内向外,X逐渐减小,其中0<X<1;第一外壳,所述第一外壳形成在所述CdXZn1‑XSe量子点核的表面上;第二外壳,所述第二外壳形成在所述第一外壳远离所述CdXZn1‑XSe量子点核一侧的表面上。本发明提供了一种具有梯度合金结构的量子点,其中,CdXZn1‑XSe量子点核是成分梯度变化的合金,CdSe成分在内核占主导,ZnSe成分在外核占主导,由于CdSe的禁带宽度小于ZnSe,因此CdXZn1‑XSe量子点核的能级向外连续且变宽,这种结构更有利于电荷的传输及复合发光,从而提高蓝色量子点发光二极管器件的性能。