一种量子点发光二极管及其制备方法

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专利状态

一种量子点发光二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-09-16

申请公布

2022-04-01

授权

2023-12-26

预估到期

2040-09-16

专利基础信息

申请号	CN202010972815.1	申请日	2020-09-16
申请公布号	CN114267814A	申请公布日	2022-04-01
授权公布号	CN114267814B	授权公告日	2023-12-26
分类号	H10K71/12;H10K50/15;H10K50/115
分类
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2023-12-26

授权

状态信息

授权
2022-04-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述制备方法包括步骤：采用溶液法在阳极上形成PVDF掺杂的PEDOT:PSS薄膜作为空穴传输层；在所述空穴传输层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阴极，得到所述量子点发光二极管。本发明中，将PVDF掺杂于PEDOT:PSS薄膜中作为空穴传输层，其能够有效改善PEDOT:PSS薄膜的载流子传输效率和稳定性，从而提高量子点发光二极管的效率。

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