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专利状态
一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2019-08-19
申请公布
2021-02-23
授权
2023-03-21
预估到期
2039-08-19
专利基础信息
申请号 CN201910764540.X 申请日 2019-08-19
申请公布号 CN112397661A 申请公布日 2021-02-23
授权公布号 CN112397661B 授权公告日 2023-03-21
分类号 H10K50/15;H10K50/115;C01G53/04;C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00
分类
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2023-03-21
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-02-23
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管,所述纳米材料具有核壳结构,所述纳米材料的核材料包括NiO纳米颗粒,所述纳米材料的壳材料包括MoS2纳米片。NiO纳米颗粒作为核材料,生长于NiO纳米颗粒表面的超薄MoS2纳米片作为壳材料。MoS2壳可以保护活性相对较高的NiO核,减少NiO表面缺陷,从而抑制了表面缺陷对载流子的俘获;MoS2纳米片的生长可以使NiO核更好的分散在溶剂中,提高分散性。而相比于MoS2,NiO具有更好的空穴传输性能,可以保证空穴的快速转移。所述核壳结构的纳米材料作为空穴传输材料,MoS2与NiO协同作用,提高空穴传输效率,从而提高了量子点发光二极管发光效率。