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专利状态
纳米材料及其制备方法和应用
有效
专利申请进度
申请
2019-08-19
申请公布
2021-02-23
授权
2023-03-03
预估到期
2039-08-19
专利基础信息
申请号
CN201910763112.5
申请日
2019-08-19
申请公布号
CN112397660A
申请公布日
2021-02-23
授权公布号
CN112397660B
授权公告日
2023-03-03
分类号
H10K50/165;H10K50/115;B82Y30/00
分类
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2023-03-03
授权
状态信息
授权
2021-02-23
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种纳米材料,所述纳米材料包括In2S3纳米材料和掺杂在所述In2S3纳米材料中的Sn,且所述掺杂型In2S3纳米材料中,In与Sn的摩尔比为1:0.001~0.05。本发明提供的纳米材料,提高In2S3纳米材料的载流子浓度,降低电阻率,从而提高电子传输能力,促进电子‑空穴在量子点发光层中有效地复合,进而降低激子累积对器件性能的影响,提高量子点发光层性能。
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