一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管

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专利状态

一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管

有效

专利申请进度

申请

2019-08-19

申请公布

2021-02-23

授权

2022-08-23

预估到期

2039-08-19

专利基础信息

申请号	CN201910763315.4	申请日	2019-08-19
申请公布号	CN112390298A	申请公布日	2021-02-23
授权公布号	CN112390298B	授权公告日	2022-08-23
分类号	C01G53/04;H01L51/50
分类	无机化学;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-08-23

授权

状态信息

授权
2021-02-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管，其中，所述改性金属氧化物的制备方法包括步骤：在H2S气氛下对初始金属氧化物进行加热处理，使H2S中的硫部分取代所述初始金属氧化物中的氧，制得所述改性金属氧化物。本发明制备的改性金属氧化物具有高导电性，所述改性金属氧化物在作为空穴传输层材料时，能够有效提高其空穴传输效率，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对量子点发光二极管性能的影响，从而提高量子点发光二极管的发光效率。

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