量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法

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专利状态

量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法

有效

专利申请进度

申请

2019-12-30

申请公布

2021-07-16

授权

2022-08-09

预估到期

2039-12-30

专利基础信息

申请号	CN201911396687.4	申请日	2019-12-30
申请公布号	CN113130832A	申请公布日	2021-07-16
授权公布号	CN113130832B	授权公告日	2022-08-09
分类号	H01L51/56;H01L51/50
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-08-09

授权

状态信息

授权
2021-07-16

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供初始量子点薄膜，对所述初始量子点薄膜进行紫外照射处理，得到第一量子点薄膜；在所述第一量子点薄膜中加入目标配体，退火处理，制备表面结合有目标配体的量子点薄膜。本发明提供的量子点薄膜的制备方法，在保持原有量子点光学性能不受影响的前提下，可以在初始量子点表面引入目标配体，特别是将初始量子点表面配体进行置换，引入目标配体。

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