具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件

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专利状态

具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件

有效

专利申请进度

申请

2016-12-30

申请公布

2018-07-10

授权

2022-08-05

预估到期

2036-12-30

专利基础信息

申请号	CN201611255825.3	申请日	2016-12-30
申请公布号	CN108264901A	申请公布日	2018-07-10
授权公布号	CN108264901B	授权公告日	2022-08-05
分类号	H01L51/50;C09K11/88
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-08-05

授权

状态信息

授权
2018-07-10

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件，其中，所述发光材料包含N个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中N≥2；所述量子点结构单元包括A1和A2类型，所述A1类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；所述A2类型为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构；所述发光材料的内部由至少一层A1类型的量子点结构单元组成，所述发光材料的外部由至少一层A2类型的量子点结构单元组成；在径向方向上相邻的量子点结构单元中，靠近发光材料中心的量子点结构单元的能级宽度不大于远离发光材料中心的量子点结构单元的能级宽度；且相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。

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