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专利状态
电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-09-19
申请公布
2021-03-19
授权
2022-09-06
预估到期
2039-09-19
专利基础信息
申请号
CN201910886593.9
申请日
2019-09-19
申请公布号
CN112531123A
申请公布日
2021-03-19
授权公布号
CN112531123B
授权公告日
2022-09-06
分类号
H01L51/50;H01L51/56
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-09-06
授权
状态信息
授权
2021-03-19
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于显示器件技术领域,具体涉及一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该电子传输膜层的制备方法包括如下步骤:提供基板;将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中,得到金属氧化物纳米颗粒溶液;其中,所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂,所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性;将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并经干燥处理后得到电子传输膜层。该制备方法过程中配置的金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性,不会受环境的温度、湿度影响,这样制得的电子传输膜层具有很好的成膜质量,可提高器件的性能和使用寿命。
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