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专利状态
量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-30
申请公布
2021-07-16
授权
2022-10-11
预估到期
2039-12-30
专利基础信息
申请号 CN201911399797.6 申请日 2019-12-30
申请公布号 CN113130824A 申请公布日 2021-07-16
授权公布号 CN113130824B 授权公告日 2022-10-11
分类号 H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2022-10-11
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明属于显示器件技术领域,尤其涉及一种量子点发光二极管,包括空穴传输层、量子点发光层及第一碳量子点层,所述第一碳量子点层设置于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间,所述第一碳量子点层包括若干第一碳量子点。本发明实提供的量子点发光二极管,电荷传输性能好,导电性高,且量子点发光二极管性能稳定。