沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-01-07

申请公布

2020-05-22

授权

2021-12-31

预估到期

2040-01-07

专利基础信息

申请号	CN202010015337.5	申请日	2020-01-07
申请公布号	CN111192925A	申请公布日	2020-05-22
授权公布号	CN111192925B	授权公告日	2021-12-31
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-12-31

授权

状态信息

授权
2020-06-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/78；申请日:20200107
2020-05-22

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法。该填充方法包括：在半导体衬底上的外延层中形成沟槽；在所述外延层表面和沟槽中形成绝缘层，所述绝缘层围绕沟槽形成第一空腔；对所述第一空腔顶部的部分绝缘层进行蚀刻以扩大所述第一空腔的开口宽度，形成第二空腔；在所述第二空腔中填充多晶硅层。本申请通过扩大第一空腔的开口后形成多晶硅层以消除多晶硅层中空洞或缝隙等缺陷，从而可以提高功率半导体器件的良率、可靠性和延长寿命。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信