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专利状态
可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2020-05-22
授权
2022-11-01
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号
CN201911426146.1
申请日
2019-12-31
申请公布号
CN111192615A
申请公布日
2020-05-22
授权公布号
CN111192615B
授权公告日
2022-11-01
分类号
G11C16/10;G11C17/16
分类
信息存储;
申请人名称
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
2022-11-01
授权
状态信息
授权
2020-05-22
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了一种可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法。所述非易失性存储系统包括控制单元、可编程存储单元以及用于连接控制单元和可编程存储单元的通信传输线,可编程存储单元与通信传输线相连并包括至少一个电熔丝存储器,所述控制方法包括:通过控制通信传输线的传输线电压,在控制单元和可编程存储单元之间传输串行数据;以及根据串行数据产生对应的熔融电流,以将串行数据中的目标数据非易失性地存储在对应的电熔丝存储器中。本发明实施例提供的可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法可以减少用于通信/供电的压焊点数量,从而简化电路之间的连接关系,并降低芯片的面积、成本以及设计难度。
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