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专利状态

MEMS传感器及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-11-06

申请公布

2021-02-12

授权

2023-12-26

预估到期

2040-11-06

专利基础信息

申请号	CN202011237140.2	申请日	2020-11-06
申请公布号	CN112357875A	申请公布日	2021-02-12
授权公布号	CN112357875B	授权公告日	2023-12-26
分类号	B81B7/04;B81C1/00
分类	微观结构技术〔7〕;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2023-12-26

授权

状态信息

授权
2021-02-12

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种MEMS传感器及其制备方法，在第一衬底和所述第二衬底的正面形成相应的电极层之后，并通过键合工艺将第一衬底和所述第二衬底的正面键合在一起，将电极层密封在键合形成的空腔内，电极层通过导电连接结构或直接与第一衬底的正面的压点电性连接。相当于利用了MEMS工艺实现了器件的制备，提高了器件的可靠性，降低了制备难度，并且还可以简化后续进行的封装步骤。

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