双向功率器件及其制造方法

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专利状态

双向功率器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

申请公布

2021-07-30

授权

2022-08-02

预估到期

2040-10-27

专利基础信息

申请号	CN202011163950.8	申请日	2020-10-27
申请公布号	CN113192884A	申请公布日	2021-07-30
授权公布号	CN113192884B	授权公告日	2022-08-02
分类号	H01L21/8232;H01L29/06;H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2022-08-02

授权

状态信息

授权
2021-07-30

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度。该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。

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