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专利状态
传感器组件的极化方法
有效
专利申请进度
申请
2019-04-08
申请公布
2019-08-23
授权
2021-07-09
预估到期
2039-04-08
专利基础信息
申请号
CN201910277798.7
申请日
2019-04-08
申请公布号
CN110163085A
申请公布日
2019-08-23
授权公布号
CN110163085B
授权公告日
2021-07-09
分类号
G06K9/00;H01L41/257
分类
计算;推算;计数;
申请人名称
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
2021-07-09
授权
状态信息
授权
2019-09-17
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):G06K 9/00
2019-08-23
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了传感器组件的极化方法。所述传感器组件包括彼此连接的传感器阵列和CMOS电路,所述CMOS电路包括多个像素电路和多个信号处理电路,所述方法包括:将所述传感器组件放置在第一极板和第二极板之间;将所述CMOS电路的半导体衬底与第二极板一起接地;在所述第一极板和所述第二极板之间施加负电压;以及从所述第一极板和所述第二极板之间取出所述传感器组件。该传感器组件在极化过程中将CMOS电路的半导体衬底接地以提供保护,从而可将传感器阵列和CMOS电路集成一起之后进行极化而不会导致CMOS电路的损坏。
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