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专利状态
直接铜键合DCB衬底
有效
专利申请进度
申请
2020-08-14
授权
2021-04-16
预估到期
2030-08-14
专利基础信息
申请号
CN202021703147.4
申请日
2020-08-14
授权公布号
CN212991090U
授权公告日
2021-04-16
分类号
H01L23/495;H01L23/492;H01L23/367
分类
基本电气元件;
申请人名称
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
2021-04-16
授权
状态信息
授权
摘要
本实用新型涉及一种直接铜键合DCB衬底,直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括第一铜层,第一铜层包括第一基岛、第二基岛以及第三基岛;其中,第二基岛部分包围第一基岛,第三基岛部分包围第二基岛,第一基岛、第二基岛以及第三基岛分别包括载片台和第一类引出端,载片台和第一类引出端通过覆铜走线形成连续导电结构,第一基岛、第二基岛以及第三基岛的第一类引出端依次设置于第一侧边的第一端,第一基岛、第二基岛以及第三基岛的载片台位于第一侧边的与第一端相对的第二端。
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