双向功率器件及其制造方法

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专利状态

双向功率器件及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

申请公布

2021-07-30

授权

2023-03-17

预估到期

2040-10-27

专利基础信息

申请号	CN202011165946.5	申请日	2020-10-27
申请公布号	CN113192886A	申请公布日	2021-07-30
授权公布号	CN113192886B	授权公告日	2023-03-17
分类号	H01L21/8232;H01L29/06;H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2023-03-17

授权

状态信息

授权
2021-07-30

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，所述第二屏蔽介质层、所述第一屏蔽介质层以及所述栅介质层的厚度依次递减。该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层、第一屏蔽介质层以及栅介质层的厚度依次递减，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。

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