半导体隔离结构及集成电路的隔离结构

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专利状态

半导体隔离结构及集成电路的隔离结构

有效

专利申请进度

申请

2022-06-22

授权

2022-11-01

预估到期

2032-06-22

专利基础信息

申请号	CN202221568098.7	申请日	2022-06-22
授权公布号	CN217719560U	授权公告日	2022-11-01
分类号	H01L21/762
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2022-11-01

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种半导体隔离结构及集成电路的隔离结构，其中，该半导体隔离结构包括第一金属层；第二金属层，位于所述第一金属层下方；其中，所述第一金属层与所述第二金属层之间设置有堆叠介质层，所述堆叠介质层包括至少两层介质结构。通过多步逐层的PE‑TEOS工艺按序制造介质结构形成堆叠介质层，实现了堆叠介质层厚度的可控，形成的堆叠介质层内的水汽和表面的杂质碳含量相对于传统的单次沉积工艺更低，厚度波动更小，提高了半导体隔离结构的绝缘性，可靠性和均匀性。

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