双向功率器件的制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

双向功率器件的制造方法

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

申请公布

2021-02-02

授权

2024-02-02

预估到期

2040-10-27

专利基础信息

申请号	CN202011165966.2	申请日	2020-10-27
申请公布号	CN112309975A	申请公布日	2021-02-02
授权公布号	CN112309975B	授权公告日	2024-02-02
分类号	H01L21/8232;H01L29/06;H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2024-02-02

授权

状态信息

授权
2021-02-02

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种双向功率器件的制造方法，包括：在半导体层中形成第一掺杂区；在第一沟槽区形成多个沟槽，第一沟槽区的多个沟槽位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；形成覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁的栅介质层；形成覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁的屏蔽介质层；以及在第一沟槽区的多个沟槽的中形成分别与栅介质层和屏蔽介质层接触的栅极导体，其中，栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，控制栅与栅介质层接触，屏蔽栅与屏蔽介质层接触。该制造方法利用沟槽将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区，构成双向功率器件的源区和漏区，降低了器件的面积。

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