采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2015-02-15

申请公布

2015-05-20

授权

2019-06-11

预估到期

2035-02-15

专利基础信息

申请号	CN201510079987.5	申请日	2015-02-15
申请公布号	CN104637968A	申请公布日	2015-05-20
授权公布号	CN104637968B	授权公告日	2019-06-11
分类号	H01L27/146;H01L21/762
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

专利法律状态

2019-06-11

授权

状态信息

授权
2016-09-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20150215
2015-05-20

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器及其制作方法，该方法至少包括步骤：提供衬底；于所述衬底上形成隔离像素单元的隔离结构；采用选择性外延的方式形成覆盖隔离结构的外延单晶硅层；在所述外延单晶硅层中形成图像传感器的部分器件。本发明于形成图像传感器器件之前形成深沟槽隔离结构，该隔离结构的表面形状较好、缺陷较少，并且可以通过外延高温过程进行修复，进一步消除缺陷的影响，使得隔离结构的界面更加优良，由于深沟槽隔离结构在器件之前形成，工艺手段、环境的可选择性较广，无需考虑对器件的损害，用于形成器件的外延单晶硅层在隔离结构形成后生长，高温制程保证了不会有应力传导进硅器件区域，保证了图像传感器器件性能。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信