金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法

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专利状态

金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2015-10-13

申请公布

2016-02-03

授权

2019-12-17

预估到期

2035-10-13

专利基础信息

申请号	CN201510660295.X	申请日	2015-10-13
申请公布号	CN105304609A	申请公布日	2016-02-03
授权公布号	CN105304609B	授权公告日	2019-12-17
分类号	H01L23/522;H01L29/92;H01L21/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

专利法律状态

2019-12-17

授权

状态信息

授权
2017-07-28

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/522；申请日:20151013
2016-02-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，其包括：第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，围堰侧墙对应有凹槽；于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；于电容上极板上设置的导电塞层；于导电塞层上设置的第二金属层。本发明采用立体结构的MIM电容器，增加了电容上、下极板相对应的有效电极面积，提高了电容密度，可在有限的芯片面积上实现较大的电容值，满足了LCD驱动电路、RFCMOS电路等大电容集成电路的需求，适于应用于集成电路的片内电容。

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