具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法

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专利状态

具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法

有效

专利申请进度

申请

2015-07-20

申请公布

2015-10-14

授权

2019-06-14

预估到期

2035-07-20

专利基础信息

申请号	CN201510425907.7	申请日	2015-07-20
申请公布号	CN104979370A	申请公布日	2015-10-14
授权公布号	CN104979370B	授权公告日	2019-06-14
分类号	H01L27/146;H01L21/762
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

专利法律状态

2019-06-14

授权

状态信息

授权
2016-11-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20150720
2015-10-14

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种具有深沟槽隔离结构的背照式图像传感器的形成方法，包括如下步骤：S1：提供具有第一表面和第二表面的器件晶圆，在器件晶圆的第一表面形成深沟槽隔离结构；S2：通过激光照射深沟槽隔离结构表面提高半导体表层温度以修复深沟槽隔离结构的损伤并在光致电离及高温作用下氧化形成氧化层；所述激光照射过程中，第一表面的温度高于第二表面的温度；S3：去除氧化层以修复深沟槽隔离结构的损伤。本发明采用激光辅助氧化并配合湿法氧化层去除工艺修复深沟槽隔离结构的晶格损伤，对于图像传感器器件和金属互联几乎没有影响，从而提高了图像传感器的像素质量，进而提高载流子的迁移效率、防止暗电流、提高信噪比。

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