具有栅极偏置和衬底偏置的交流直流转换器

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专利状态

具有栅极偏置和衬底偏置的交流直流转换器

有效

专利申请进度

申请

2017-12-27

申请公布

2018-05-29

授权

2020-01-21

预估到期

2037-12-27

专利基础信息

申请号	CN201711449608.2	申请日	2017-12-27
申请公布号	CN108092531A	申请公布日	2018-05-29
授权公布号	CN108092531B	授权公告日	2020-01-21
分类号	H02M7/217
分类	发电、变电或配电;
申请人名称	华大半导体有限公司
申请人地址	上海市浦东新区亮秀路112号Y1座305室

专利法律状态

2020-01-21

授权

状态信息

授权
2018-06-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2018-05-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种具有栅极偏置和衬底偏置的交流直流转换器，通过所述交流直流转换器，既能够采用MOSFET来实现转换器电路并同时对MOSFET的阈值电压进行补偿，而且还能够实现更加精细的阈值补偿，由此降低成本并满足更多应用场合的阈值电压要求。

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