一种毛刺干扰触发芯片闩锁效应的测试方法

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专利状态

一种毛刺干扰触发芯片闩锁效应的测试方法

有效

专利申请进度

申请

2011-08-31

申请公布

2013-03-06

授权

2015-04-22

预估到期

2031-08-31

专利基础信息

申请号	CN201110255011.0	申请日	2011-08-31
申请公布号	CN102955124A	申请公布日	2013-03-06
授权公布号	CN102955124B	授权公告日	2015-04-22
分类号	G01R31/28
分类	测量；测试;
申请人名称	华大半导体有限公司
申请人地址	上海市浦东新区亮秀路112号Y1座三层305-306室

专利法律状态

2015-12-30

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G01R31/28；登记生效日:20151208；变更事项:专利权人；变更前:北京中电华大电子设计有限责任公司；变更后:华大半导体有限公司；变更事项:地址；变更前:100102 北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技创业园A座五层；变更后:201203 上海市浦东新区亮秀路112号Y1座三层305-306室
2015-04-22

授权

状态信息

授权
2013-04-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01R31/28；申请日:20110831
2013-03-06

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提出的芯片闩锁效应的测试方法，用来测试芯片针对不同的高频振荡毛刺信号是否会触发闩锁效应。测试时，每次需要选择一次毛刺脉冲波的最大尖峰电压值、最大脉冲宽度Twidth、毛刺密集度这三个参数作为一个测试点，一个测试点进行一次触发闩锁效应测试，不同的最大尖峰电压值、最大脉冲宽度Twidth、毛刺密集度作为不同的测试点，采用多个测试点分别进行触发闩锁效应测试，最终可形成三维的毛刺触发Latch-Up?Test测试结果分布。

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