一种温度计码电阻阵列结构

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专利状态

一种温度计码电阻阵列结构

有效

专利申请进度

申请

2021-04-25

授权

2021-10-22

预估到期

2031-04-25

专利基础信息

申请号	CN202120862280.2	申请日	2021-04-25
授权公布号	CN214477450U	授权公告日	2021-10-22
分类号	H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	华大半导体有限公司
申请人地址	上海市浦东新区中科路1867号A座9层

专利法律状态

2021-10-22

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种温度计码电阻阵列结构，包括：对称排布于所述对称轴两侧的每一对多晶硅层组成一电阻，每个所述多晶硅层上设置有沿所述多晶硅层长度方向延伸的第一金属层，层叠在所述第一金属层一端上并且沿所述多晶硅层宽度方向延伸的多个第二金属层及设置在所述第一金属层另一端上并且一沿所述多晶硅层宽度方向延伸的第三金属层，每个所述第二金属层与一对所述多晶硅层上的第一金属层电连接，每对所述多晶硅层中的其中一个多晶硅层上的第一金属层的另一侧端部与所述第三金属层电连接。单位电阻R通过对称方式布局，连线优化，使电阻间的工艺偏差及连线寄生电阻偏差的现象得以大幅改善，提高电阻匹配度，提高了产品的性能指标。

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