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专利状态

差分电路及芯片

有效

专利申请进度

申请

2017-07-13

授权

2018-01-19

预估到期

2027-07-13

专利基础信息

申请号	CN201720850782.7	申请日	2017-07-13
授权公布号	CN206908586U	授权公告日	2018-01-19
分类号	H03K19/0185;H03K19/003;H01L23/528;H01L29/06
分类	基本电子电路;
申请人名称	华大半导体有限公司
申请人地址	上海市浦东新区亮秀路112号Y1座305室

专利法律状态

2018-01-19

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型涉及一种差分电路，包括第一组金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第二组金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，其中第一组MOSFET中的每个MOSFET的源极与第二组MOSFET中的每个相应MOSFET的源极通过电导体相连接以形成差分单元，使得第一组MOSFET和第二组MOSFET形成差分对，其中第一组MOSFET和第二组MOSFET中的每个MOSFET都具有保护环，所述保护环与相应MOSFET的衬底接触，并且每个差分单元中的两个MOSFET的保护环通过所述电导体彼此连接。通过该差分电路，可以减小由于不同的器件体效应造成的失配并且保证源极与衬底之间的阻抗相同。本实用新型还涉及一种相应芯片。

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