触发器延时的内建测试方法及电路

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专利状态

触发器延时的内建测试方法及电路

有效

专利申请进度

申请

2010-11-16

申请公布

2012-05-23

授权

2014-01-15

预估到期

2030-11-16

专利基础信息

申请号	CN201010546850.3	申请日	2010-11-16
申请公布号	CN102466779A	申请公布日	2012-05-23
授权公布号	CN102466779B	授权公告日	2014-01-15
分类号	G01R31/317;G01R31/3177
分类	测量；测试;
申请人名称	华大半导体有限公司
申请人地址	上海市浦东新区亮秀路112号Y1座三层305-306室

专利法律状态

2015-12-09

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G01R31/317；登记生效日:20151120；变更事项:专利权人；变更前:北京中电华大电子设计有限责任公司；变更后:华大半导体有限公司；变更事项:地址；变更前:100102 北京市朝阳区利泽中二路2号望京科技创业园A座五层；变更后:201203 上海市浦东新区亮秀路112号Y1座三层305-306室
2014-01-15

授权

状态信息

授权
2012-07-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G01R31/317；申请日:20101116
2012-05-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种触发器延时的内建测试方法，该方法包括：积累待测触发器的延时，使之与参考时钟的周期相比，产生由该比较关系决定的检测信号；将检测信号进行转换并输出，使其可以从芯片外部被直观地观测；通过连续改变参考时钟的周期，并检测可观测信号的变化，来确定待测触发器的积累延时，并最终计算出单个待测触发器的精确延时。另外，本发明还提供了一种触发器延时的内建测试系统，该系统包括：可调时钟发生器、触发器延时积累电路、延时比较电路和可观测信号产生电路。

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