半导体封装结构及其制作方法

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专利状态

半导体封装结构及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2018-04-27

申请公布

2019-11-05

授权

2021-06-29

预估到期

2038-04-27

专利基础信息

申请号	CN201810393579.0	申请日	2018-04-27
申请公布号	CN110416166A	申请公布日	2019-11-05
授权公布号	CN110416166B	授权公告日	2021-06-29
分类号	H01L23/31;H01L23/52;H01L21/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴滨江中路275号

专利法律状态

2021-06-29

授权

状态信息

授权
2019-11-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/31；申请日:20180427
2019-11-05

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提出了一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：主体基板，包括上表面电路、下表面电路以及连接所述上表面电路和下表面电路的侧面，所述上表面电路和下表面电路之间电性连通；芯片，包括相对设置的第一连接面和第二连接面，所述第一连接面电性连接于所述下表面电路；塑封层，完全包覆所述基板的侧面，且所述塑封层至少部分包覆所述下表面电路和芯片；背金层，包括与所述芯片的第二连接面相连接的至少一个第一金属连接部，所述第一金属连接部包括延伸并凸出所述塑封层外的延展面，所述延展面的面积之和大于所述第二连接面的面积。本发明在降低生产成本的同时解决了芯片的散热问题，满足并高于封装体湿气敏感性3级的要求。

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