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专利状态
一种低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-09-26
申请公布
2019-12-31
授权
2022-03-04
预估到期
2039-09-26
专利基础信息
申请号
CN201910920588.5
申请日
2019-09-26
申请公布号
CN110634995A
申请公布日
2019-12-31
授权公布号
CN110634995B
授权公告日
2022-03-04
分类号
H01L31/18;H01L21/67;H01L31/0288
分类
基本电气元件;
申请人名称
苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址
江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
专利法律状态
2022-03-04
授权
状态信息
授权
2019-12-31
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种低光衰钝化接触太阳能电池的制备方法,在电池形成PN结或PP+的高低结过程中,采用镓源或者IIIA族元素进行高温扩散、离子注入或原位掺杂,特别是当P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制;在电池形成PN结或者PP+的高低结过程中采用镓源或者其他IIIA族元素(铝、铟、铊、鈮)替代硼源进行高温扩散、离子注入或者原位掺杂,尤其是P型钝化接触电池中的p型多晶硅层中的掺杂控制。通过对掺杂源的时间、温度、浓度等的调整来控制掺杂量在硅中的分布。通过此种方法严格控制硼原子的二次引入,消除了硼氧对产生的前提,避免了光衰现象。
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