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专利状态
一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-29
申请公布
2020-11-10
授权
2022-06-24
预估到期
2040-06-29
专利基础信息
申请号
CN202010606899.7
申请日
2020-06-29
申请公布号
CN111916528A
申请公布日
2020-11-10
授权公布号
CN111916528B
授权公告日
2022-06-24
分类号
H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0216
分类
基本电气元件;
申请人名称
苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址
江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
专利法律状态
2022-06-24
授权
状态信息
授权
2020-11-27
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18
2020-11-10
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法,包括对P型单晶硅片的正面制绒,和形成磷掺杂面,制备选择性发射极;且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置,在背面沉积AlOx层;且在所述正面和背面沉积SiNx层;然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后,增加退火步骤,调节晶体硅电池内氢浓度,降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减,进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。
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