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专利状态
一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-06-29
申请公布
2020-11-10
授权
2022-06-24
预估到期
2040-06-29
专利基础信息
申请号 CN202010606899.7 申请日 2020-06-29
申请公布号 CN111916528A 申请公布日 2020-11-10
授权公布号 CN111916528B 授权公告日 2022-06-24
分类号 H01L31/18;H01L31/0288;H01L31/0216
分类 基本电气元件;
申请人名称 苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址 江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号
专利法律状态
  • 2022-06-24
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-11-27
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18
  • 2020-11-10
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种降低LETID的P型晶体硅太阳能电池的制备方法,包括对P型单晶硅片的正面制绒,和形成磷掺杂面,制备选择性发射极;且述P型单晶硅片采用背靠背的方式放置,在背面沉积AlOx层;且在所述正面和背面沉积SiNx层;然后对所述P型单晶硅片进行退火工艺。本发明通过在在SiNx镀膜后,增加退火步骤,调节晶体硅电池内氢浓度,降低由过量氢元素造成的的热辅助光致衰减,进而提高了晶体硅电池封装组件的输出功率。