一种宽光谱纳米阵列探测器

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专利状态

一种宽光谱纳米阵列探测器

有效

专利申请进度

申请

2019-03-01

授权

2019-09-03

预估到期

2029-03-01

专利基础信息

申请号	CN201920262643.1	申请日	2019-03-01
授权公布号	CN209344126U	授权公告日	2019-09-03
分类号	H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y15/00;B82Y30/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市南三环路99号

专利法律状态

2019-09-03

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本实用新型利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。

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