一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法

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专利状态

一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法

有效

专利申请进度

申请

2020-10-20

申请公布

2020-12-29

授权

2022-09-13

预估到期

2040-10-20

专利基础信息

申请号	CN202011123637.1	申请日	2020-10-20
申请公布号	CN112151641A	申请公布日	2020-12-29
授权公布号	CN112151641B	授权公告日	2022-09-13
分类号	H01L31/18;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址	江苏省常州市金坛区尧塘镇金武路18号

专利法律状态

2022-09-13

授权

状态信息

授权
2020-12-29

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种利用绝缘边保护层来制备N型电池的方法。具体的步骤包括以下：（1）选择N型的单晶硅片，经过清洗制绒、硼扩散、去BSG；（2）利用滚筒传输装置，将介电层膜均匀的涂抹在硅片的边缘；（3）利用扩散进行磷扩散前或LPCVD沉积多晶硅前，利用高温将介电层与硅片进行微烧结；（4）脱胶，利用HF将绝缘的介电层及沉积在介电层上的磷一起进行剥离；（5）RCA去PSG层或多晶硅层绕镀后、正面进行AlOx、SiNx钝化，背面进行SiNX钝化（6）正面印刷银浆后进行烧结。该方法可有效解决N型硅片的边缘漏电问题。

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