磁存储单元及SOT-MRAM存储器

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专利状态

磁存储单元及SOT-MRAM存储器

有效

专利申请进度

申请

2018-12-26

申请公布

2020-07-03

授权

2022-09-20

预估到期

2038-12-26

专利基础信息

申请号	CN201811602786.9	申请日	2018-12-26
申请公布号	CN111370571A	申请公布日	2020-07-03
授权公布号	CN111370571B	授权公告日	2022-09-20
分类号	H01L43/04
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2022-09-20

授权

状态信息

授权
2020-07-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种磁存储单元，包括：底电极，用于提供自旋轨道矩；磁性隧道结，包括依次堆叠的自由层、隧穿势垒层和参考层，所述自由层靠近所述底电极；分离层，位于所述磁性隧道结的参考层上并与所述参考层接触；偏置层，位于所述分离层上并与所述分离层接触，用于提供一个磁矩，所述磁矩的初始方向与所述磁性隧道结的磁化方向平行；压电层，位于所述偏置层上并与所述偏置层接触，用于在控制电压的作用下，产生一个使所述偏置层的磁矩改变方向的应力，所述偏置层的磁矩在改变方向后，用于辅助所述自由层翻转；顶电极，位于所述压电层上并与所述压电层接触，用于在写入数据时接入所述控制电压。本发明能够提高磁存储单元的稳定性。

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