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专利状态
磁存储单元及SOT-MRAM存储器
有效
专利申请进度
申请
2018-12-26
申请公布
2020-07-03
授权
2022-09-20
预估到期
2038-12-26
专利基础信息
申请号 CN201811602786.9 申请日 2018-12-26
申请公布号 CN111370571A 申请公布日 2020-07-03
授权公布号 CN111370571B 授权公告日 2022-09-20
分类号 H01L43/04
分类 基本电气元件;
申请人名称 中电海康集团有限公司
申请人地址 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
  • 2022-09-20
    授权
    状态信息
    授权
  • 2020-07-03
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明提供一种磁存储单元,包括:底电极,用于提供自旋轨道矩;磁性隧道结,包括依次堆叠的自由层、隧穿势垒层和参考层,所述自由层靠近所述底电极;分离层,位于所述磁性隧道结的参考层上并与所述参考层接触;偏置层,位于所述分离层上并与所述分离层接触,用于提供一个磁矩,所述磁矩的初始方向与所述磁性隧道结的磁化方向平行;压电层,位于所述偏置层上并与所述偏置层接触,用于在控制电压的作用下,产生一个使所述偏置层的磁矩改变方向的应力,所述偏置层的磁矩在改变方向后,用于辅助所述自由层翻转;顶电极,位于所述压电层上并与所述压电层接触,用于在写入数据时接入所述控制电压。本发明能够提高磁存储单元的稳定性。