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专利状态

MRAM阵列的测试电路

有效

专利申请进度

申请

2019-07-22

申请公布

2021-01-22

授权

2022-06-24

预估到期

2039-07-22

专利基础信息

申请号	CN201910663110.9	申请日	2019-07-22
申请公布号	CN112259153A	申请公布日	2021-01-22
授权公布号	CN112259153B	授权公告日	2022-06-24
分类号	G11C29/56
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

专利法律状态

2022-06-24

授权

状态信息

授权
2021-02-09

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC（主分类）:G11C29/56
2021-01-22

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种MRAM阵列的测试电路，包括：字线译码器、行选择器以及测试阵列，所述测试阵列的其中一列为测试列，所述测试阵列的全部行以每两行为一组合行，所述测试列上的位于每个组合行的第一行上的存储单元为测试单元，所述测试单元的MTJ底电极连接至所在组合行的第二行的字线，该字线作为测试信号线输出测试信号，其中，所述字线译码器，用于根据输入的地址信号，选中所述测试阵列的其中一组合行的第一行的字线，该字线在选中后被拉高；所述行选择器，用于根据所述字线译码器的选择结果，将选中的组合行的第二行的字线选择连接至测试信号端。本发明能够对MRAM阵列中的其中一列上的多个存储单元进行参数测试。

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