存储单元与存储器_专利查询-品牌网

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专利状态

存储单元与存储器

有效

专利申请进度

申请

2017-02-17

申请公布

2018-08-28

授权

2021-08-27

预估到期

2037-02-17

专利基础信息

申请号	CN201710088549.4	申请日	2017-02-17
申请公布号	CN108461101A	申请公布日	2018-08-28
授权公布号	CN108461101B	授权公告日	2021-08-27
分类号	G11C11/16
分类	信息存储;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-08-27

授权

状态信息

授权
2021-08-20

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):G11C 11/16；专利申请号:2017100885494；登记生效日:20210806；变更事项:申请人；变更前权利人:中电海康集团有限公司；变更后权利人:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更前权利人:；变更后权利人:浙江驰拓科技有限公司
2018-09-21

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C 11/16；专利申请号:2017100885494；申请日:20170217
2018-08-28

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本申请提供了一种存储单元与存储器。该存储单元包括MTJ模块，MTJ模块包括第一MTJ、第二MTJ以及设置在第一MTJ与第二MTJ间的压电层，第一MTJ包括由下至上依次设置的第一参考层、第一隔离层与第一自由层；第二MTJ设置在压电层的远离第一MTJ的表面上，第二MTJ包括由下至上依次设置的第二自由层、第二隔离层与第二参考层，且第一参考层与第二参考层的磁化方向相同，第一参考层的磁化方向与第一自由层的磁化方向的位置关系为第一位置关系，第二参考层的磁化方向与第二自由层的磁化方向的位置关系为第二位置关系，当第一位置关系与第二位置关系相同时，第一MTJ与第二MTJ的电阻值不相等。该存储单元的存储密度高。

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