一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法

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专利状态

一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法

有效

专利申请进度

申请

2016-08-25

申请公布

2018-03-09

授权

2021-08-06

预估到期

2036-08-25

专利基础信息

申请号	CN201610733780.X	申请日	2016-08-25
申请公布号	CN107785484A	申请公布日	2018-03-09
授权公布号	CN107785484B	授权公告日	2021-08-06
分类号	H01L43/12;H01L27/22;G11C11/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	中电海康集团有限公司
申请人地址	浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311

专利法律状态

2021-08-06

授权

状态信息

授权
2021-08-03

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L 43/12；专利申请号:201610733780X；登记生效日:20210722；变更事项:申请人；变更前权利人:中电海康集团有限公司；变更后权利人:中电海康集团有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室；变更后权利人:311121 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311；变更事项:申请人；变更前权利人:；变更后权利人:浙江驰拓科技有限公司
2018-06-26

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 43/12；专利申请号:201610733780X；申请日:20160825
2018-03-09

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种自对准光刻腐蚀制作存储器的方法，首先在金属层上淀积生长下电极，MTJ层和阻挡层，紧接着继续淀积牺牲氧化层和上电极，紧接着进行MTJ的光刻，并且刻蚀，刻蚀之后淀积保护层侧墙以进行保护，再进行刻蚀留下一定厚度的侧墙，再以侧墙进行硬掩模最对准，对下电极进行刻蚀，之后进行氧化层填充满，随后进行光刻显影并对牺牲氧化层进行刻蚀，然后再进行金属通孔填充工艺，之后再进行CMP化学机械剖光。本发明的方法使成本大大降低，大大的提高了器件的质量和可靠性。

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