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专利状态
磁传感器及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2019-07-22
申请公布
2021-01-29
授权
2023-05-30
预估到期
2039-07-22
专利基础信息
申请号 CN201910663268.6 申请日 2019-07-22
申请公布号 CN112289922A 申请公布日 2021-01-29
授权公布号 CN112289922B 授权公告日 2023-05-30
分类号 H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;H10N59/00;H10B61/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 中电海康集团有限公司
申请人地址 浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室
专利法律状态
  • 2023-05-30
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-02-23
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L 43/08;专利申请号:2019106632686;申请日:20190722
  • 2021-01-29
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本申请提供了一种磁传感器及其制作方法。该磁传感器包括至少一个磁传感器结构,其中,每个磁传感器结构包括至少一个磁传感组,各磁传感组包括两个磁传感单元,各磁传感单元包括串联的传感结构和加热结构,各传感结构包括叠置的自由层和参考层,各磁传感组中的两个磁传感单元的参考层的磁化方向相反。本申请解决了相关技术中,磁传感器难以实现同一裸片上参考层相反的磁化方向,且存在灵敏度、可靠性低的技术问题。