薄膜晶体管及其制造方法_专利查询-品牌网

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专利状态

薄膜晶体管及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2009-05-05

申请公布

2009-10-07

授权

2010-12-08

预估到期

2029-05-05

专利基础信息

申请号	CN200910107056.6	申请日	2009-05-05
申请公布号	CN101552209A	申请公布日	2009-10-07
授权公布号	CN101552209B	授权公告日	2010-12-08
分类号	H01L21/336;H01L21/28;H01L21/324;H01L21/027;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/04
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2013-07-24

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L 21/336；变更事项:专利权人；变更前权利人:深圳华映显示科技有限公司；变更后权利人:华映科技(集团)股份有限公司；变更事项:地址；变更前权利人:518000 广东省深圳市宝安区光明高新技术产业园区塘明大道9号；变更后权利人:350000 福建省福州市马尾区儒江西路6号；变更事项:专利权人；变更前权利人:中华映管股份有限公司；变更后权利人:中华映管股份有限公司；登记生效日:20130704
2010-12-08

发明专利权授予

状态信息

授权
2009-12-02

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2009-10-07

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明适用于半导体组件技术领域，提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，所述制造方法包括下列步骤。在基板上形成下闸极、闸绝缘层及非晶半导体层，非晶半导体层具有不平坦的上表面；透过不平坦的上表面对非晶半导体层进行激光退火制程，以将非晶半导体层转换为具有较小结晶部及较大结晶部的多晶半导体层，较大结晶部中的晶粒尺寸大于较小结晶部中的晶粒尺寸；在多晶半导体层上形成另一闸绝缘层、上闸极及图案化光阻层，上闸极及下闸极的图案由同一个光罩所定义；在多晶半导体层中形成源/汲极；对上闸极及图案化光阻层进行具有蚀刻选择性的蚀刻制程，使上闸极的长度小于下闸极的长度。

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